Отечественная литография добралась до 130 нм
Григорьев Арсений АндреевичЗеленоградский нанотехнологический центр и белорусская «Планар» завершили третий этап ОКР по созданию отечественной 130-нм фотолитографической установки. Опытный образец рассчитан на 200-мм кремниевые пластины и ориентирован на выпуск СБИС — сверхбольших интегральных схем.
Что известно об установке
В проекте использованы 193-нм эксимерные лазеры компании «Лассард». Полная стоимость установки составила $70 млн — по меркам полупроводникового оборудования это сравнительно небольшая сумма.
Ключевые параметры опытного образца:
- •техпроцесс — 130 нм;
- •тип оборудования — фотолитографическая установка;
- •пластины — 200 мм;
- •источник излучения — 193-нм эксимерный лазер;
- •назначение — производство СБИС.
Какой это технологический уровень
130-нм техпроцесс относится к уровню начала 2000-х годов. В потребительских процессорах с ним ассоциируется эпоха Pentium III Tualatin и Athlon XP, то есть примерно 2001–2002 годы.
Для современных флагманских CPU и GPU такой уровень давно устарел, но в промышленной электронике зрелые техпроцессы продолжают использоваться из-за предсказуемости, стоимости и достаточных характеристик для многих задач.
Где могут применяться 130 нм
На 130 нм можно выпускать не только простую цифровую логику, но и широкий набор специализированных микросхем.
